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  Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET 2024-04-11 09:25:34

  JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET具備抗輻射能力，-60V電壓等級，-0.53A輸出電流。特性包括單粒子效應強化、快速切換、低總門電荷、CMOS和TTL兼容。適用于負載點轉換器、同步整流、配電電路等。產品型號：JANSR2N7626UBN。

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  ADI:當前中國核心集成電路國產芯片占有率 2021-07-13 16:59:41

  憑據IC Insight的數據，2015年中國集成電路企業在世界上的市場份額惟有3%，美國、韓國、日分內別到達54%/20%/8%。實際上，即使是美國、韓國、日本也無法到達半導體家當鏈的100%自產。比方，在優秀工藝生產的焦點裝備鐫刻機方面依附荷蘭的ASML。列入環球單干，在此過程當中漸漸進步國產化的比例，是可行的半導體家當開展之路。